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TE信號(hào)解讀

日期:2025-05-09 20:16
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摘要: TE信號(hào)解讀 TE(Tearing Effect Signal) 是從TFT控制器到MCU的反饋信號(hào)。功能與過(guò)去的單色LCD模塊的 FLM (First Line Marker)信號(hào)類(lèi)似。 TE信號(hào)從TFT控制器發(fā)出, 告訴MCU,現(xiàn)在“開(kāi)始”從一行開(kāi)始讀RAM并顯示了。目標(biāo)是避免TFT控制器讀取RAM數(shù)據(jù)時(shí), MCU卻在往同一位置寫(xiě)數(shù)據(jù)所造成的沖突,此沖突往往造成顯示花屏的情況。 TE信號(hào)解讀——應(yīng)用情況1 高速M(fèi)CU 畫(huà)面幀速 約為 1/60秒 MCU 更新整個(gè)幀顯示內(nèi)容的速度 比顯示控制器掃...

TE信號(hào)解讀

TE(Tearing Effect Signal) 是從TFT控制器到MCU的反饋信號(hào)。功能與過(guò)去的單色LCD模塊的 FLM (First Line Marker)信號(hào)類(lèi)似。

TE信號(hào)從TFT控制器發(fā)出, 告訴MCU,現(xiàn)在“開(kāi)始”從一行開(kāi)始讀RAM并顯示了。目標(biāo)是避免TFT控制器讀取RAM數(shù)據(jù)時(shí), MCU卻在往同一位置寫(xiě)數(shù)據(jù)所造成的沖突,此沖突往往造成顯示花屏的情況。


TE信號(hào)解讀——應(yīng)用情況1

  • 高速M(fèi)CU
  • 畫(huà)面幀速 約為 1/60秒
  • MCU 更新整個(gè)幀顯示內(nèi)容的速度 比顯示控制器掃描(讀取)一幀快
  • MCU 看到 TE信號(hào)時(shí), 便開(kāi)始更新(寫(xiě)入)顯示內(nèi)容(參考上圖紅線(xiàn)),
  • 相關(guān)更新是不會(huì)與顯示控制器掃描(讀取)RAM(參考上圖黑線(xiàn))產(chǎn)生沖突的
  • 那么畫(huà)面上是不會(huì)因RAM寫(xiě)讀沖突而產(chǎn)生顯示花屏的情況
  • 注意,相關(guān)更新(寫(xiě)入)動(dòng)作是在顯示控制器掃描(讀取)剛剛完成時(shí)開(kāi)始

 

TE信號(hào)解讀——應(yīng)用情況2

  • 較慢速的MCU
  • 畫(huà)面幀速 約為 1/60秒
  • MCU 更新整個(gè)幀顯示內(nèi)容的速度 比顯示控制器掃描(讀取)一幀慢
  • MCU 看到 TE信號(hào)時(shí),便開(kāi)始更新顯示內(nèi)容(參考上圖藍(lán)線(xiàn))
  • 只要MCU的更新速度不超過(guò)兩幀的時(shí)間,
  • 是不會(huì)與顯示控制器掃描(讀取)RAM(參考上圖黑線(xiàn))產(chǎn)生沖突的
  • 那么畫(huà)面上是不會(huì)因RAM寫(xiě)讀沖突而產(chǎn)生顯示花屏的情況
  • 注意,相關(guān)更新(寫(xiě)入)動(dòng)作是在顯示控制器掃描(讀取)剛剛開(kāi)始后開(kāi)始.


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